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> 并五苯场效应晶体管的研制
并五苯场效应晶体管的研制
并五苯场效应晶体管的研制
资料类型:
PDF文件
关键词:
并五苯
场效应晶体管
xrd
afm
迁移率
资料大小:
290K
所属学科:
分子表征
来源:
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
以X射线衍射仪(XRD)研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构,通过原子力显微镜(AFM)分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极,并五苯作为有缘层,采用底接触结构,研制场效应晶体管。经过测试得到其场效应迁移率为1.23cm2/Vs,开关电流比>106。
作者:
陶春兰,董茂军,张旭辉,张福甲
上传时间:
2008-08-27 16:31:39
下载次数:
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zfaj_2005
2009-03-20 16:51:43
挺好,内容有价值
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